按照環(huán)氧板材料增強體的幾何形狀和尺寸分類，其環(huán)氧板材料?；h(huán)氧板材料、顆粒增強陶瓷基環(huán)氧板材料和連續(xù)纖維增強陶瓷對應(yīng)不同的制備工藝。相像.都可以采用與傳統(tǒng)單相陶瓷晶須與顆粒增強陶瓷基環(huán)氧板材料的制備工藝過程成刑和燒結(jié):把晶須和增強顆

的基本相同的工藝過程。其主要包括三個階段，即商擅拌使其與陶瓷粉均勻混合后成粒加人介質(zhì)中用機械方法使其分散，然后加人陶瓷粉料,通型，烘干后進行燒結(jié)(如熱壓燒結(jié)或熱等靜壓燒結(jié))。成型方法主要包括半干法成型、注漿成型、流延成型、模壓成型、注射成型、擠出成型、冷等靜壓成型型和軋模成型等。燒結(jié)方法主要包括熱壓燒結(jié)反應(yīng)燒結(jié)無壓燒結(jié)、真空燒結(jié)或熱等靜壓燒結(jié)等。成型工藝與燒結(jié)工藝在陶瓷材料的制備技術(shù)中已有較多描述，此處不再贅述。

晶須或顆粒增強陶瓷基環(huán)氧板材料的制備工藝主要有以下兩種:①外加晶須或顆粒法。即通過晶須和顆粒分散后與基體混合成形，再經(jīng)燒結(jié)制得晶須或顆粒增韌陶瓷基環(huán)氧板材料的方法，例如將SiC晶須加人到氧化物、碳化物、氮化物等基體中得到SiC晶須增韌的陶瓷基環(huán)氧板材料。這種制備工藝較為傳統(tǒng)。②原位生長晶須法。將陶瓷基體粉末、晶須和增強顆粒生長助劑等直接混合成形,在一定的條件下原位合成晶須，同時制備出含有該晶須增強的陶瓷基環(huán)氧板材料。這種制備工藝的晶須生長較難控制。

連續(xù)纖維增強陶瓷基環(huán)氧板材料的形狀通常由纖維預制體來實現(xiàn)，再在纖維預制體內(nèi)部制備陶瓷基體，屬于增材制造的范疇。連續(xù)纖維增強陶瓷基環(huán)氧板材料的制備通常采用化學轉(zhuǎn)化讀通過化學轉(zhuǎn)化法降低陶瓷基體的制備問題進而保證環(huán)氧板材料的結(jié)構(gòu)性能。其制備方法主要有化學氣相沉積/準(VDICVD)法先驅(qū)體沒漬裝解法(PIP法和反應(yīng)性熔體沒滲(RMD法三種,這也是本章講述的重點。

化學氣相滲透Chemial Vapor lirtin.v.Dn)法起源于20世紀60年代中期，是在化 學氣相沉積(Chemical VaporDepositin,CVD)法基礎(chǔ)上發(fā)展起來的 一種 制備陶瓷基環(huán)氧板材料的新方法。CVD廣泛月于涂層工藝，是成熟的技術(shù)，，它與CVI的區(qū)別在于CVD主要從外表面開始沉積，而CVT則是通過孔隙滲體流動、氣體擴散以及固周相產(chǎn)物形核和生國南題區(qū)積，由此會帶來瓦積趕程中的及服氣長方面的差異。學氣相滲透法是將一.種或幾種烴類氣體化合物通過高溫分解、海積中化學氣相滲透法

碳纖維預制體內(nèi)部使材料致密化的方法。在環(huán)氧板環(huán)氧板材料的生成陶瓷基體、形成屬于陶瓷工程范疇，是使先驅(qū)氣體滲透到纖維預制體內(nèi)部,在高溫纖維增強陶瓷基環(huán)氧板材料的制備方法。

在20世紀70年代初期IFiter和Nallin分別在德國Karsruhe大學和法國Bord在美國 學利用CVI法進行了碳化硅陶資基環(huán)氧板材料(CMC - SiC)的制備，1984 Oak Ridge國家實驗室(ORNL)提出了強制對流化學氣相滲透(Forced CVI)法制備陶瓷基發(fā)合材料,但有關(guān)CVI基礎(chǔ)理論和模型的研究直到20世紀80年代后期才逐步開展。

按照沉積爐內(nèi)溫度和壓力方式的不同,CVI法通常可以分為五種，即等溫等壓CV1、熱梯度等壓CVI、等溫強制對流CVI、熱梯度強制對流CVI和脈沖CVI等。圖13-1為五種常見的CVI方法示意圖,其中最典型的有等溫等壓CVI、熱梯度強制對流CVI和壓力脈沖CVI三種?，F(xiàn)在對這三者進行簡要介紹。

(1)等溫等壓CVI:該方法又稱靜態(tài)法。將纖維預制體放在溫度和氣氛壓力均勻的空間，反應(yīng)物氣體通過擴散滲人纖維預制體內(nèi)發(fā)生化學反應(yīng)并進行沉積，而副產(chǎn)物氣體再通過擴散向外逸散。按照沉積過程中使用的爐壓的不同，等溫等壓CVI工藝分為常壓等溫等壓CVI工藝和負壓等溫等壓CVI工藝。兩種工藝各有其優(yōu)缺點:常壓等溫等壓CVI工藝的主要優(yōu)點是可以獲得較長的氣體滯留時間和較高的氣體濃度,致密化速率較高，缺點是難以制備出高密度制件;負壓等溫等壓CVI工藝的缺點是致密化速率較低,但是負壓等溫等壓CVI工藝能夠制備高密度的陶瓷基環(huán)氧板材料，比常壓等溫等壓CVI工藝更容易實現(xiàn)批量生產(chǎn)，因而負壓等溫等壓CVI得到了更加廣泛的應(yīng)用。通常所說的等溫等壓CVI工藝一般也是指負壓等溫等壓 | CVI工藝，也稱其為低壓化學氣相沉積(LPCVI)。

等溫等壓CVI中整個預制體溫度均-且預制體內(nèi)無強制氣體流動，氣態(tài)前驅(qū)體的供給及副產(chǎn)物的排除都完全通過擴散作用。由于氣體在預制體表面的輸送狀態(tài)遠好于芯部,基體在表面優(yōu)先沉積下來，導致過早地封閉孔洞，切斷芯部氣體傳輸?shù)耐ǖ?產(chǎn)生明顯的宓面不為今

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