【環(huán)氧板廠家】優(yōu)質的產(chǎn)品

         環(huán)氧板。它們往往具有強烈的鍵合嘴點極病，原子擴散系數(shù)低，高溫性能良好。然面，這些性質也使得環(huán)氧板廠家難以燒結，在制備工藝上較為復雜。此外，抗氧化性是環(huán)氧板在高溫.氧化性氣氛下長期使用時需要考慮的問題。

         環(huán)氧板(SIC)是綜合性能最為優(yōu)異的 環(huán)氧板廠家之一，在環(huán)氧板中應用廣泛。迄今為止，已報道的SiC多型(polytype)有200多種。這些多型又可以分為立方(C)、六方(H)、菱形(R)等類。其中閃鋅礦結構的3C- SiC是結構最為簡單的一 種(結構見圖4- 7),空間群為F43m。3C- SiC一般又稱為β- SiC,除此之外的其他SiC都統(tǒng)稱為a- SiC。

       β- SiC晶胞由硅一碳四面體構成。 環(huán)氧板在晶格中占據(jù)8個頂點和6個面心位置，環(huán)氧板則占據(jù)4個四面體間隙位置，它可以看作是由面心立方的硅晶格和面心立方的碳晶格錯位嵌套而成的。βSiC的晶體結構類似于金剛石,SiC原子間屬共價鍵強結合，因而表現(xiàn)出很高的硬度(其硬度僅次于金剛石)。β一siC具有低密度、高比模量高比強度等優(yōu)異特征，具有較子的熱穩(wěn)定性(2373K左右開始轉變?yōu)閍 SiC,沒有熔點 ,在一標準大氣壓下 .300K以上化)以及耐腐蝕性,因而可以認為β一siC陶瓷是作為高溫結構材料的最有希望的材料之一。

      六方(2H.4H.6H.8H等)和菱形SiC 多型(15R,21R等)的空間群分別為P63me 環(huán)氧板多型的晶格結環(huán)意圖。由晶格結構可知，六方和菱形sic多型的。由于SC具有高硬度，它最初在工業(yè)上被用作研磨和切割材料。隨著半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，SiC材料所具有的寬帶隙、高臨界擊穿電場、高熱導率、高載流子飽和漂移速度等特點逐漸被人們所認識。其在高溫、高頻、大功率、光電子及抗輻射等方面具有巨大的應用潛力。

除了在半導體產(chǎn)業(yè)中的應用,Sic因為在高溫下具有穩(wěn)定的化學、物理性能，并且能在表層氧化后形成層致密的 SiO2薄膜來阻止氧化的進步進行，因而被認為是一種很重要的高溫熱結構材料。

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